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「物質・材料研究機構　新技術説明会」（2021年6月15日開催）にて発表。 https://shingi.jst.go.jp/list/nims/2021_nims.html 【新技術の概要】 従来、高品質窒化ガリウムのバルク結晶成長法として開発されてきた「Naフラックス法」の欠点であるインクルージョン(包有物)の問題を解決した。今回開発した結晶成長法では、Ga-Na融液膜を基板上にコーティングしながら窒素を溶解させることで高品質GaN膜を成長させる。成長したGaN膜は薄膜合成法、バルク結晶合成法どちらにも適用できる。転位密度はパワーデバイス応用可能なレベルである。 【従来技術・競合技術との比較】 これまで窒化ガリウムの合成法としては気相成長法が主流であったが、結晶欠陥の一種である転位密度が高いというデメリットがあった。液相成長法としてNaフラックス法が精力的に研究されたことで、転位密度は大幅に減少したが、Naフラックス法では結晶内部にインクルージョンが取り込まれてしまう。我々の手法では、Naフラックス法をベースとしながらインクルージョンフリーの結晶合成が可能である。 【新技術の特徴】 ・窒化物結晶成長 ・高品質結晶合成 ・フラックス成長法 【想定される用途】 ・パワーデバイス ・レーザーダイオード ・高周波デバイス